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| 分类 | 系列/型号 | 特 点 | 形 状 | 分 类 | a | b | 查看详情 | pdf下载 |
| e core | 磁路长度和截面积是理想的，与其他形状相比，磁芯损耗也最低。 | ee | mn-zn | 5.25±0.20~80.00±0.80 | 5.30±0.10~76.10±0.40 | |||
| 磁路长度和截面积是理想的，与其他形状相比，磁芯损耗也最低。 | eed | mn-zn | 28.00±0.50~40.80±0.50 | 9.10±0.30~29.20±0.50 | ||||
| 磁路长度和截面积是理想的，与其他形状相比，磁芯损耗也最低。 | eer | mn-zn | 9.35±0.15~59.80±1.30 | 3.85±0.10~62.00±0.40 | ||||
| 磁路长度和截面积是理想的，与其他形状相比，磁芯损耗也最低。 | ei | mn-zn | 12.50±0.20~70.00±1.20 | 9.10±0.40~64.40±0.25 | ||||
| pq/rm core | 更宽的外腿和相对较小的中心腿，以减少噪音问题 | rm | mn-zn | 10.80±0.20~41.60±0.60 | 9.60±0.20~34.15±0.65 | |||
| 更宽的外腿和相对较小的中心腿，以减少噪音问题 | pq | mn-zn | 20.50±0.40~50.00±0.70 | 16.20±0.20~49.95±0.25 | ||||
| pot | 外壁完美地围绕着缠绕线圈的中心腿,可以对漏电电感进行完美的屏蔽 | ds | mn-zn | 20.00±0.50~40.2±0.50 | 7.10±0.15~15.10±0.20 | |||
| 外壁完美地围绕着缠绕线圈的中心腿,可以对漏电电感进行完美的屏蔽 | pc | mn-zn | 5.35±0.15~30.00±0.50 | 3.20±0.10~9.40±0.10 | ||||
| low profile core | 与其他e型相比，它的中心腿设计得又低又宽，从而获得相同的体积但极薄的厚度。 | efd | mn-zn | 13.4±0.30~50.00±0.50 | 10±0.15~25.00±0.30 | |||
| 与其他e型相比，它的中心腿设计得又低又宽，从而获得相同的体积但极薄的厚度。 | epc | mn-zn | 13.30±0.30~50.05±0.70 | 6.60±0.20~27.60±0.30 | ||||
| planer core | 低 ac 铜损和良好的耦合可提高转换效率 | pee | mn-zn | 14±0.30~58.4±1.20 | 7±0.20~21±0.26 | |||
| 低 ac 铜损和良好的耦合可提高转换效率 | pei | mn-zn | 14±0.30~58.4±1.20 | 5±0.15~14.6±0.26 | ||||
| sq, sqe, uu core | sq、sqe没有分成两部分，因此可以获得更高的电感和阻抗特性 | sq | mn-zn | 17.60±0.20~40.70±0.40 | 14.10±0.25~30.80±0.40 | |||
| sq、sqe没有分成两部分，因此可以获得更高的电感和阻抗特性 | sqe | mn-zn | 20.10±0.40~35.30±0.60 | 14.90±0.20~35.30±0.60 | ||||
| sq、sqe没有分成两部分，因此可以获得更高的电感和阻抗特性 | uu | mn-zn | 9.80±0.20~93.00±1.80 | 7.10±0.10~76.00±0.50 | ||||
| toroid core | 产生磁场的最优化形状，没有漏感和其他损耗 | 圆型 | mn-zn | 2.54±0.30~100.00±2.00 | 1.27±0.15~30.00±0.50 | |||
| rod, bar, screw core | 直接缠绕在磁芯上或使用线轴,磁芯上的绕组线圈为传感器应用产生磁场 | ar | mg-zn | 2.45 0.10/-0.15~20.50±0.50 | 10.00±0.30~34.00±0.50 | |||
| 直接缠绕在磁芯上或使用线轴,磁芯上的绕组线圈为传感器应用产生磁场 | ap | mg-zn | 8.00±0.15~160.00±2.00 | 8.00±0.10/-0.30~19.50±0.50 | ||||
| 直接缠绕在磁芯上或使用线轴,磁芯上的绕组线圈为传感器应用产生磁场 | i | mg-zn | 16.00 0.15/-0.25~101.60±2.00 | 4.00±0.15~27.50±0.50 | ||||
| 直接缠绕在磁芯上或使用线轴,磁芯上的绕组线圈为传感器应用产生磁场 | sd | mg-zn | 50.00±0.4~105.00±0.8 | 6.00±0.15~25.00±0.30 | ||||
| 直接缠绕在磁芯上或使用线轴,磁芯上的绕组线圈为传感器应用产生磁场 | os | mg-zn | 5.75±0.03~6.00±0.03 | 10.00±0.30~15.00±0.25 | ||||
| drum/smd core | 绕鼓类型的中心范围,两翼都易于保护绕组区域产生的噪音,这些翼也增加了电感。 | owa | ni-zn | 4.55 0/0.15~9.85±0.10 | 1.00±0.10~7.00±0.15 | |||
| 绕鼓类型的中心范围,两翼都易于保护绕组区域产生的噪音,这些翼也增加了电感。 | owc | ni-zn | 5.90±0.10~6.80±0.10 | 0.90±0.10~2.40±0.10 | ||||
| 绕鼓类型的中心范围,两翼都易于保护绕组区域产生的噪音,这些翼也增加了电感。 | dsc | ni-zn | 12.10±0.20 | 12.10±0.20 | ||||
| 绕鼓类型的中心范围,两翼都易于保护绕组区域产生的噪音,这些翼也增加了电感。 | owa | ni-zn | 5.40 0.05 /-0.2~20.00 0 /-0.30 | 6.50 0.10 /-0.15~20.00±0.40 | ||||
| emc core | ni-zn材料主要用于降低mhz频率范围的噪声 | op | ni-zn | 1.60 0.15/-0.00~28.20 0.30/-0.50 | 5.00 0.00/-0.40~28.00±0.50 | |||
| ni-zn材料主要用于降低mhz频率范围的噪声 | or | ni-zn | 9.55±0.30~34.80±0.40 | 5.00±0.30~26.00±0.30 | ||||
| ni-zn材料主要用于降低mhz频率范围的噪声 | ops | ni-zn | 16.40±0.40~22.00±0.40 | 28.00±0.40 | ||||
| ni-zn材料主要用于降低mhz频率范围的噪声 | ors | ni-zn | 8.30 0.00/-0.30~12.50 0.20/-0.30 | 16.30±0.30~25.00±0.40 | ||||
| ni-zn材料主要用于降低mhz频率范围的噪声 | ss | ni-zn | 29.00±0.50~35.00±0.40 | 10.00±0.50~15.00±0.30 | ||||
| ferrite absorber | pariet apsover 在 30 mhz 至 1 ghz 范围内显示出出色的吸收率，并且由于其厚度薄，大大减少了无线电暗室的空间 | sd | ni-zn | 99.95±0.10~100.00±0.50 | 99.95±0.10~100.00±0.50 | |||
| pariet apsover 在 30 mhz 至 1 ghz 范围内显示出出色的吸收率，并且由于其厚度薄，大大减少了无线电暗室的空间 | sfa | ni-zn | 300.00±0.50~ 600.00±0.50 | 300.00±0.50~ 600.00±0.50 | ||||
| pariet apsover 在 30 mhz 至 1 ghz 范围内显示出出色的吸收率，并且由于其厚度薄，大大减少了无线电暗室的空间 | sga | ni-zn | 300.00±0.90 | 300.00±0.90 | ||||
| ep core | 它是一种立方体形状设计的产品，以提高 pcb 的集成度，应用了具有低 thd 特性的 pl-7 和 st-30b 等材料 | ep | mn-zn | 5.33±0.10~24±0.50 | 5.33±0.20~21.4±0.20 | |||
| 它是一种立方体形状设计的产品，以提高 pcb 的集成度，应用了具有低 thd 特性的 pl-7 和 st-30b 等材料 | eop | mn-zn | 9.4±0.40~9.5 0/-0.40 | 7.5 0/-0.20~8 0.60/-0 | ||||
| 它是一种立方体形状设计的产品，以提高 pcb 的集成度，应用了具有低 thd 特性的 pl-7 和 st-30b 等材料 | elp | mn-zn | 12.2 0.10 /-0.40~25±0.40 | 5.2±0.20~31.8±0.20 |